2SK536-TB-E
- 제품 모델:
- 2SK536-TB-E
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- MOSFET N-CH 50V 0.1A
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 87415 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- 2SK536-TB-E.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-2SK536-TB-E |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
| Vgs (최대): | ±12V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | SC-59 |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 200mW (Ta) |
| 포장: | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 다른 이름들: | 2SK536-TB-EOSCT |
| 작동 온도: | 125°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 2 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 15pF @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 50V |
| 상세 설명: | N-Channel 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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