内部モデル | RO-SQS481ENW-T1_GE3 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.095 Ohm @ 5A, 10V |
電力消費(最大): | 62.5W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
他の名前: | SQS481ENW-T1_GE3TR |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 385pF @ 75V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 11nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 150V |
詳細な説明: | P-Channel 150V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |