内部モデル | RO-SPB04N50C3ATMA1 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.9V @ 200µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-3-2 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
電力消費(最大): | 50W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | SP000014477 SPB04N50C3 SPB04N50C3-ND SPB04N50C3ATMA1TR SPB04N50C3INTR SPB04N50C3INTR-ND SPB04N50C3XT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 470pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 22nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 560V |
詳細な説明: | N-Channel 560V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |