内部モデル | RO-SMUN5313DW1T1G |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 47 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 47 kOhms |
電力 - 最大: | 187mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
他の名前: | SMUN5313DW1T1G-ND SMUN5313DW1T1GOSTR |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 40 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | - |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | MUN53**DW1 |
Email: | [email protected] |