内部モデル | RO-RMLV0416EGSB-4S2#AA1 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - ブレークダウン: | 44-TSOP2 (10.2x18.4) |
スタンダード: | Volatile |
ソフトウェア: | 4Mb (256K x 16) |
シェルスタイル: | 2.7 V ~ 3.6 V |
シリーズ: | - |
RoHSステータス: | Tray |
逆回復時間(trrの): | 45ns |
偏光: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
出力絶縁: | SRAM |
他の名前: | RMLV0416EGSB4S2AA1 |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム: | 20 Weeks |
製造元の部品番号: | RMLV0416EGSB-4S2#AA1 |
インタフェース: | Parallel |
説明: | IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II |
Email: | [email protected] |