内部モデル | RO-PUMD9,165 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 100mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSSOP |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 47 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 10 kOhms |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
他の名前: | 934055050165 PUMD9 /T2 PUMD9 /T2-ND |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | - |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 100 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | P*MD9 |
Email: | [email protected] |