内部モデル | RO-PHB20NQ20T,118 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | D2PAK |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 130 mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大): | 150W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | 1727-7201-1 568-9692-1 568-9692-1-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2470pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 65nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
詳細な説明: | N-Channel 200V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |