内部モデル | RO-PBSS5260PAP,115 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 60V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 500mV @ 200mA, 2A |
トランジスタ型式: | 2 PNP (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-HUSON-EP (2x2) |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 510mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-UDFN Exposed Pad |
他の名前: | 1727-1081-2 568-10209-2 568-10209-2-ND 934066891115 PBSS5260PAP |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 100MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 2A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 110 @ 1A, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 2A |
ベース部品番号: | PBSS5260PAP |
Email: | [email protected] |