NSVDTA114EM3T5G
NSVDTA114EM3T5G
部品型番:
NSVDTA114EM3T5G
メーカー:
ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 50V BIPOLAR SOT-723
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
49657 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
NSVDTA114EM3T5G.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-NSVDTA114EM3T5G
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-723
シリーズ:-
抵抗器ベース(R2):10 kOhms
抵抗器 - ベース(R1):10 kOhms
電力 - 最大:260mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-723
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:5 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):35 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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