NSV12100XV6T1G
- 部品型番:
- NSV12100XV6T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 説明:
- TRANS PNP 12V 1A SOT563
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 41053 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- NSV12100XV6T1G.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-NSV12100XV6T1G |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 12V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 440mV @ 100mA, 1A |
| トランジスタ型式: | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-563 |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 650mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 1A 650mW Surface Mount SOT-563 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 100 @ 500mA, 2V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 100nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 1A |
| Email: | [email protected] |
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