内部モデル | RO-MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.1V |
技術: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
他の名前: | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR-ND MT53B384M16D1NK-062WTES:BTR |
運転温度: | -30°C ~ 85°C (TC) |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 6Gb (384M x 16) |
メモリインタフェース: | - |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 6Gb (384M x 16) 1600MHz |
クロック周波数: | 1600MHz |
Email: | [email protected] |