内部モデル | RO-MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術: | FLASH - NAND |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
他の名前: | MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR-ND MT29F2G08ABBEAHC-AIT:ETR |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 2Gb (256M x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel |
Email: | [email protected] |