MJ11012G
- 部品型番:
- MJ11012G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 説明:
- TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 47856 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- MJ11012G.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-MJ11012G |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 60V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 4V @ 300mA, 30A |
| トランジスタ型式: | NPN - Darlington |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-204 (TO-3) |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 200W |
| パッケージング: | Tray |
| パッケージ/ケース: | TO-204AA, TO-3 |
| 他の名前: | MJ11012G-ND MJ11012GOS |
| 運転温度: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 2 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション: | 4MHz |
| 詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3) |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 1000 @ 20A, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 1mA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 30A |
| Email: | [email protected] |
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