内部モデル | RO-JAN2N5152 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 80V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 1.5V @ 500mA, 5A |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-39 (TO-205AD) |
シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/544 |
電力 - 最大: | 1W |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
他の名前: | 1086-21014 1086-21014-MIL |
運転温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 22 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション: | - |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 30 @ 2.5A, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 50µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 2A |
Email: | [email protected] |