内部モデル | RO-IRLML2803GTRPBF |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 85pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | Micro3™/SOT-23 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 250 mOhm @ 910mA, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.2A (Ta) |
偏光: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | IRLML2803GTRPBFTR SP001550482 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
製造元の部品番号: | IRLML2803GTRPBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 5nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 1V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30V |
静電容量比: | 540mW (Ta) |
Email: | [email protected] |