内部モデル | RO-IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 40µA |
Vgs(最大): | ±16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO251-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ P7 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
電力消費(最大): | 25W (Tc) |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | IPSA70R1K2P7S SP001664784 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 174pF @ 400V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4.8nC @ 400V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 700V |
詳細な説明: | N-Channel 700V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |