内部モデル | RO-FQB34P10TM-F085P |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | D²PAK (TO-263) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 60 mOhm @ 16.75A, 10V |
電力消費(最大): | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
鉛フリーステータス: | Lead free |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2910pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 110nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
詳細な説明: | P-Channel 100V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 33.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |