内部モデル | RO-DRA9152Z0L |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | SSMini3-F3-B |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 5.1 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 510 Ohms |
電力 - 最大: | 125mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-89, SOT-490 |
他の名前: | DRA9152Z0L-ND DRA9152Z0LTR |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 11 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 20 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | DRA9152 |
Email: | [email protected] |