内部モデル | RO-CY15B064Q-SXE |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 3 V ~ 3.6 V |
技術: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | 428-4082 CY15B064Q-SXE-ND |
運転温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 64Kb (8K x 8) |
メモリインタフェース: | SPI |
メモリ形式: | FRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) SPI 16MHz 8-SOIC |
クロック周波数: | 16MHz |
Email: | [email protected] |