BSO615CGHUMA1
- 部品型番:
- BSO615CGHUMA1
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 36482 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- BSO615CGHUMA1.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-BSO615CGHUMA1 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 20µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-DSO-8 |
| シリーズ: | SIPMOS® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| 電力 - 最大: | 2W |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | BSO615CGHUMA1CT BSO615CINCT BSO615CINCT-ND |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 380pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 3.1A, 2A |
| ベース部品番号: | BSO615 |
| Email: | [email protected] |
