内部モデル | RO-BSC0904NSIATMA1 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TDSON-8 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.7 mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerTDFN |
他の名前: | BSC0904NSIATMA1CT BSC0904NSICT BSC0904NSICT-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1100pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 17nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | N-Channel 30V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20A (Ta), 78A (Tc) |
Email: | [email protected] |