内部モデル | RO-BCR 153L3 E6327 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 1mA, 20mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TSLP-3-4 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 2.2 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 2.2 kOhms |
電力 - 最大: | 250mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SC-101, SOT-883 |
他の名前: | BCR 153L3 E6327-ND BCR153L3E6327 BCR153L3E6327XT SP000014866 |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 200MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3-4 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 20 @ 20mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |