内部モデル | RO-70V659S12DRGI8 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 12ns |
電源電圧 - : | 3.15 V ~ 3.45 V |
技術: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ: | 208-PQFP (28x28) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 208-BFQFP |
他の名前: | IDT70V659S12DRGI8 IDT70V659S12DRGI8-ND |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 4.5Mb (128K x 36) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) |
ベース部品番号: | IDT70V659 |
アクセス時間: | 12ns |
Email: | [email protected] |