内部モデル | RO-2SD20000P |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 60V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 1.5V @ 400mA, 4A |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220F-A1 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 2W |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack |
他の名前: | 2SD2000 2SD2000-ND |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 80MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4A 80MHz 2W Through Hole TO-220F-A1 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 120 @ 1A, 4V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100µA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 4A |
Email: | [email protected] |