内部モデル | RO-2N5551TF |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 160V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 200mV @ 5mA, 50mA |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 625mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
他の名前: | 2N5551TF-ND 2N5551TFTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 7 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 100MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 80 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 50nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 600mA |
ベース部品番号: | 2N5551 |
Email: | [email protected] |