TSM60N380CI C0G
TSM60N380CI C0G
Modello di prodotti:
TSM60N380CI C0G
fabbricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
76687 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
TSM60N380CI C0G.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-TSM60N380CI C0G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ITO-220
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi:TSM60N380CI C0G-ND
TSM60N380CIC0G
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ITO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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