STQ1NK60ZR-AP
STQ1NK60ZR-AP
Modello di prodotti:
STQ1NK60ZR-AP
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
46921 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
STQ1NK60ZR-AP.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-STQ1NK60ZR-AP
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:15 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Tc)
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Altri nomi:497-12343-3
STQ1NK60ZRAP
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:94pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Tc)
Email:[email protected]

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