SQJ464EP-T1_GE3
SQJ464EP-T1_GE3
Modello di prodotti:
SQJ464EP-T1_GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8
Quantità in magazzino:
48859 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
SQJ464EP-T1_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-SQJ464EP-T1_GE3
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 7.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SQJ464EP-T1_GE3CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2086pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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