SI4100DY-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI4100DY-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 34180 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SI4100DY-T1-GE3.pdf
introduzione
We can supply SI4100DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4100DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4100DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4100DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4100DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SI4100DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SI4100DY-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI4100DY-T1-GE3
Latest Notizie
- ADI collabora con il gruppo BMW per lanciare la principale tecnologia Ethernet per auto da 10 MB del settore, aprendo un nuovo capitolo nelle automobili per definizione del software
- Vishay lancia il potenziometro a manopola, semplificando i costi industriali e audio e ottimizzando i costi
- Toshiba lancia il driver del gate della serie SmartMCD IC con microcontrollore incorporato
- Displementazione del kit Sambanova ADI, promuovendo la formula di produzione AI per raggiungere la svolta a livello aziendale
- Honeywell e Adi si sono uniti per promuovere l'innovazione e il cambiamento dell'automazione dell'edificio
- Maxim ha annunciato il lancio
- Maxim lancia un convertitore DC-DC Max16984, un'auto con enumatori di ricarica USB integrati
- Renesas Electronics lancia il primo driver elettrico programmabile del settore IC
- Renesas ha lanciato la prima generazione di kernel CPU RISC-V a 32 bit
- Vishay ha lanciato il nuovo accoppiamento di luce a bassa potenza da 10 mbd, a partire da 5 mA, l'intervallo di tensione è da 2,7 V a 5,5 V.
- Melexis ha lanciato una nuova soluzione di deviazione intelligente per integrare la sicurezza affidabile
- Toshiba ha sviluppato il primo modulo MOSFET a doppia Carbide da 2200 V del settore per aiutare l'efficiente e la miniaturizzazione delle attrezzature industriali