Numero di parte interno | RO-S34MS08G201BHA000 |
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Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 45ns |
Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
Tecnologia: | FLASH - NAND |
Serie: | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria: | Non-Volatile |
Dimensione della memoria: | 8Gb (1G x 8) |
Interfaccia di memoria: | Parallel |
Formato di memoria: | FLASH |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata: | FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 45ns |
Tempo di accesso: | 45ns |
Email: | [email protected] |