RTF016N05TL
RTF016N05TL
Modello di prodotti:
RTF016N05TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
60909 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.RTF016N05TL.pdf2.RTF016N05TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-RTF016N05TL
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TUMT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):320mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:3-SMD, Flat Leads
Altri nomi:RTF016N05TLCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):45V
Descrizione dettagliata:N-Channel 45V 1.6A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

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