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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
Modello di prodotti:
RF6C055BCTCR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
56666 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.RF6C055BCTCR.pdf2.RF6C055BCTCR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-RF6C055BCTCR
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TUMT6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Leads
Altri nomi:RF6C055BCTCRCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15.2nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TUMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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