NTMD2C02R2
- Modello di prodotti:
- NTMD2C02R2
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
- Stato RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità in magazzino:
- 30420 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NTMD2C02R2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-NTMD2C02R2 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD2C02R2OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.2A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
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