MT41K512M8RH-125 M AIT:E
MT41K512M8RH-125 M AIT:E
Modello di prodotti:
MT41K512M8RH-125 M AIT:E
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
65788 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
MT41K512M8RH-125 M AIT:E.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-MT41K512M8RH-125 M AIT:E
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.283 V ~ 1.45 V
Tecnologia:SDRAM - DDR3L
Contenitore dispositivo fornitore:78-FBGA (9x10.5)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:78-TFBGA
Altri nomi:MT41K512M8RH-125 M AIT:E-ND
MT41K512M8RH-125MAIT:E
temperatura di esercizio:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
Frequenza dell'orologio:800MHz
Tempo di accesso:13.75ns
Email:[email protected]

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