MJD31C1
MJD31C1
Modello di prodotti:
MJD31C1
fabbricante:
ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Stato RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità in magazzino:
60775 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
MJD31C1.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-MJD31C1
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:I-PAK
Serie:-
Potenza - Max:1.56W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:3MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:10 @ 3A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):50µA
Corrente - collettore (Ic) (max):3A
Numero di parte base:MJD31
Email:[email protected]

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