MBR2H100SFT3G
- Modello di prodotti:
- MBR2H100SFT3G
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 50548 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MBR2H100SFT3G.pdf
introduzione
We can supply MBR2H100SFT3G, use the request quote form to request MBR2H100SFT3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MBR2H100SFT3G.The price and lead time for MBR2H100SFT3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MBR2H100SFT3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-MBR2H100SFT3G |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 840mV @ 2A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOD-123FL |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOD-123F |
| Altri nomi: | MBR2H100SFT3GOSCT |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Schottky 100V 2A Surface Mount SOD-123FL |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 40µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 2A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Numero di parte base: | MBR2H100 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MBR2H100SFT3G
Latest Notizie
- Onsemi ha lanciato il primo pacchetto mondiale a pedaggio a 650 V Silicon Carbide Mosfet
- Il kit di sviluppo del motore di ON Semiconductor si concentra innanzitutto sull'efficienza energetica
- La piattaforma lidar del fotomoltiplicatore al silicio (SiPM) di ON Semiconductor dToF (direct time-of-flight) fornisce progetti pronti per applicazioni di portata industriale
- ON Semiconductor e Theta Power Systems International stabiliscono una partnership per le applicazioni di controllo dei motori
- ON Semiconductor nomina Hassane El-Khoury come successore CEO (CEO)