LN60A01ES-LF
- Modello di prodotti:
- LN60A01ES-LF
- fabbricante:
- MPS (Monolithic Power Systems)
- Descrizione:
- MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 58425 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- LN60A01ES-LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-LN60A01ES-LF |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
| Potenza - Max: | 1.3W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 3 N-Channel, Common Gate |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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