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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTV280N055TS
IXTV280N055TS
IXTV280N055TS
Modello di prodotti:
IXTV280N055TS
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
85035 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXTV280N055TS.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IXTV280N055TS
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS-220SMD
Serie:TrenchMV™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.2 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):550W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:PLUS-220SMD
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:N-Channel 55V 280A (Tc) 550W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:280A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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IXTV30N50PS IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD Inchiesta
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IXTV26N60PS IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD Inchiesta
IXTV30N60PS IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD Inchiesta
IXTV230N085TS Image IXTV230N085TS IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD Inchiesta
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