IPU135N03L G
IPU135N03L G
Modello di prodotti:
IPU135N03L G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
37721 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
IPU135N03L G.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IPU135N03L G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:13.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):31W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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