GPAS1002 MNG
- Modello di prodotti:
- GPAS1002 MNG
- fabbricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 50906 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- GPAS1002 MNG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-GPAS1002 MNG |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.1V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263AB (D²PAK) |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | GPAS1002 MNG-ND GPAS1002MNG |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 100V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 10A |
| Capacità a Vr, F: | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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