FQI4N25TU
- Modello di prodotti:
- FQI4N25TU
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 74081 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FQI4N25TU.pdf
introduzione
We can supply FQI4N25TU, use the request quote form to request FQI4N25TU pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQI4N25TU.The price and lead time for FQI4N25TU depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQI4N25TU.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-FQI4N25TU |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK (TO-262) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 1.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 250V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FQI4N25TU
Latest Notizie
- Onsemi ha lanciato il primo pacchetto mondiale a pedaggio a 650 V Silicon Carbide Mosfet
- Il kit di sviluppo del motore di ON Semiconductor si concentra innanzitutto sull'efficienza energetica
- La piattaforma lidar del fotomoltiplicatore al silicio (SiPM) di ON Semiconductor dToF (direct time-of-flight) fornisce progetti pronti per applicazioni di portata industriale
- ON Semiconductor e Theta Power Systems International stabiliscono una partnership per le applicazioni di controllo dei motori
- ON Semiconductor nomina Hassane El-Khoury come successore CEO (CEO)