DTC114YCAHZGT116
DTC114YCAHZGT116
Modello di prodotti:
DTC114YCAHZGT116
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
63868 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.DTC114YCAHZGT116.pdf2.DTC114YCAHZGT116.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-DTC114YCAHZGT116
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore:SST3
Serie:Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:350mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DTC114YCAHZGT116CT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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