DLN10C-BT
- Modello di prodotti:
- DLN10C-BT
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 30252 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- DLN10C-BT.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-DLN10C-BT |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1A |
| Tensione - Ripartizione: | - |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | - |
| Polarizzazione: | R-1 (Axial) |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 35ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | DLN10C-BT |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| Configurazione diodo: | 10µA @ 200V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 980mV @ 1A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 200V |
| Capacità a Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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