CY14V101NA-BA45XI
CY14V101NA-BA45XI
Modello di prodotti:
CY14V101NA-BA45XI
fabbricante:
Cypress Semiconductor
Descrizione:
IC NVSRAM 1M PARALLEL 48FBGA
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
59175 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
CY14V101NA-BA45XI.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-CY14V101NA-BA45XI
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:45ns
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore:48-FBGA (6x10)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:48-TFBGA
Altri nomi:CY14V101NABA45XI
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:NVSRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10)
Numero di parte base:CY14V101
Tempo di accesso:45ns
Email:[email protected]

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