AS4C4M16S-6TAN
AS4C4M16S-6TAN
Modello di prodotti:
AS4C4M16S-6TAN
fabbricante:
Alliance Memory, Inc.
Descrizione:
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
50919 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
AS4C4M16S-6TAN.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-AS4C4M16S-6TAN
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:2ns
Tensione di alimentazione -:3 V ~ 3.6 V
Tecnologia:SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore:54-TSOP II
Serie:Automotive, AEC-Q100
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Altri nomi:1450-1154
AS4C4M16S-6TAN-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
Frequenza dell'orologio:166MHz
Tempo di accesso:5.4ns
Email:[email protected]

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