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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTM50HM35FG
APTM50HM35FG
Modello di prodotti:
APTM50HM35FG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
81710 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APTM50HM35FG.pdf2.APTM50HM35FG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTM50HM35FG
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:39 mOhm @ 49.5A, 10V
Potenza - Max:781W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 99A 781W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:99A
Email:[email protected]

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