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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGF25H120T2G
APTGF25H120T2G
Modello di prodotti:
APTGF25H120T2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
78620 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTGF25H120T2G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTGF25H120T2G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.7V @ 15V, 25A
Contenitore dispositivo fornitore:SP2
Serie:-
Potenza - Max:208W
Contenitore / involucro:SP2
temperatura di esercizio:-
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:1.65nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
Descrizione dettagliata:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 40A 208W Chassis Mount SP2
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):40A
Configurazione:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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Parti relative per APTGF25H120T2G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APTGF25DDA120T3G Microsemi IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 Inchiesta
APTGF300DA120D3G Microsemi IGBT 1200V 420A 2100W D3 Inchiesta
APTGF300SK120G Microsemi IGBT 1200V 400A 1780W SP6 Inchiesta
APTGF300U120DG Image APTGF300U120DG Microsemi IGBT 1200V 400A 1780W SP6 Inchiesta
APTGF25A120T1G Microsemi IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 Inchiesta
APTGF300A120D3G Image APTGF300A120D3G Microsemi IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Inchiesta
APTGF300DA120G Image APTGF300DA120G Microsemi IGBT NPT BOOST CHOP 1200V 400A S Inchiesta
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