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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTC90DSK12T1G
APTC90DSK12T1G
Modello di prodotti:
APTC90DSK12T1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
41862 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTC90DSK12T1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTC90DSK12T1G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 3mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 26A, 10V
Potenza - Max:250W
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:SP1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
Tipo FET:2 N Channel (Dual Buck Chopper)
Caratteristica FET:Super Junction
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APTC90DAM60T1G Image APTC90DAM60T1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 Inchiesta
APTCFP1VTR APEM Inc. SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V Inchiesta
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