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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT5012JN
APT5012JN
Modello di prodotti:
APT5012JN
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
79805 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APT5012JN.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APT5012JN
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:POWER MOS IV®
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 21.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):520W (Tc)
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:370nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 43A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:43A (Tc)
Email:[email protected]

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