APT10035B2LLG
- Modello di prodotti:
- APT10035B2LLG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 35644 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT10035B2LLG.pdf2.APT10035B2LLG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-APT10035B2LLG |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 350 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 690W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5185pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 186nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1000V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT10035B2LLG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT10090BFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
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APT10021JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Inchiesta |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Inchiesta |
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APT1001RBN | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD | Inchiesta |
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